Circuits i sistemes electrònics I

Temari

1. Conceptes fonamentals (2 hores)



 



1.1. Magnituds elèctriques i unitats



 



1.2. Components, dispositius i circuits



 



1.3. Senyals



 



1.4. Lleis de Kirchhoff



 



2. Anàlisi de circuits resistius (8 hores)



 



2.1. Concepte de resistència



 



2.2. Anàlisi de circuits pel mètode de nusos



 



2.3. Anàlisi de circuits pel mètode demalles



 



2.4. Concepte de circuit equivalent



 



2.5. Associació de resistències en sèrie ien paral·lel



 



3. Circuits lineals (8 hores)



 



3.1. Concepte de linealitat



 



3.2. Superposició



 



3.3. Circuits equivalents de Thèvenin i deNorton



 



3.4. Transferència del senyal



 



4. Fonts dependents (4 hores)



 



4.1. Fonts lineals dependents



 



4.2. Anàlisi de circuits amb fonts lineals dependents



 



5. Capacitat i inductància (9 hores)



 



5.1. El condensador. Associació decondensadors



 



5.2. Anàlisi de circuits RC



 



5.3. La bobina. Associació de bobines



 



5.4. Anàlisi de circuits RL



 



5.5. Emmagatzemament d'energia encondensadors i bobines



 



5.6. El transformador ideal



 



6. El díode (9 hores)



 



6.1. El díode: model



 



6.2. Anàlisi de circuits amb díodes.Alternatives i aproximacions



 



6.3. Circuits bàsics amb díodes a baixafreqüència



 



6.4. El díode zener. Circuits d'aplicació



 



6.5. El díode en règim dinàmic: commutació ipetit senyal



 



7. El transistor bipolar d'unió (14 hores)



 



7.1. El transistor bipolar d'unió (BJT):tipus, símbols i models



 



7.2. Regions de funcionament iconfiguracions bàsiques



 



7.3. El BJT en continua. Corbes característiques.Anàlisi de circuits en continua. Limitacions de funcionament



 



7.4. El BJT en règim dinàmic. Influència deles capacitats internes



 



7.5. El BJT en senyal: polarització, margesdinàmics i circuit incremental



 



7.6. Model del BJT en petit senyal. Aproximacions



 



7.7. Guany d'un amplificador. Resistènciesd'entrada i de sortida



 



8. El transistor d'efecte de camp MOS o MOSFET (6 hores)



 



8.1. El transistor MOS: tipus, símbols imodels



 



8.2. El MOS en contínua. Corbes característiques. Limitacions de funcionament. Anàlisi de l'inversor amb MOS



 



8.3. El MOS en senyal. Model equivalent



 



8.4. Tecnologia del MOS



 



(CAT)(CAST)